RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2323
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link