Comparación de la memoria RAM SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Puntuación global

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.2 7.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.6 4.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 10600

En 2.01% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 46

En -64% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2717 1291

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns