RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
4.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
7.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
4.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
10600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1291
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link