SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    14.2 left arrow 7.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.6 left arrow 4.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 46
    Около -64% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.2 left arrow 7.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    13.6 left arrow 4.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2717 left arrow 1291
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения