RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
7.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
4.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
7.9
Скорость записи, Гб/сек
13.6
4.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
10600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
1291
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link