RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
7.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
4.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
7.9
Скорость записи, Гб/сек
13.6
4.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
10600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
1291
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
OCZ OCZ2B1200LV2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link