SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

总分
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    14.2 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.6 left arrow 4.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 46
    左右 -64% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    46 left arrow 28
  • 读取速度,GB/s
    14.2 left arrow 7.9
  • 写入速度,GB/s
    13.6 left arrow 4.4
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2717 left arrow 1291
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