RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
75
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
22
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3411
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link