RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Kingston KY7N41-MID 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KY7N41-MID 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2869
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link