RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
71
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
1757
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link