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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
58
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
2,343.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,135.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,343.1
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
843
1998
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM-Vergleiche
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
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