A-DATA Technology DDR2 800G 2GB против Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Средняя оценка

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

49 58

Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения

5 18.5

Среднее значение в тестах

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.5 2,343.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 58
Скорость чтения, Гб/сек

5,135.8 18.5
Скорость записи, Гб/сек

2,343.1 9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

843 1998

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Kingston 9965669-008.A03G 16GB

Kingston 9965669-008.A03G 16GB

модули RAM