RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link