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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
73
周辺 67% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
73
読み出し速度、GB/s
16.0
14.7
書き込み速度、GB/秒
12.5
8.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
1712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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