RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
73
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5603-002.A00G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link