RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
73
Intorno 67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
73
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link