RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
46
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
13.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2944
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link