RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2944
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link