RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
46
Intorno -21% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
38
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2944
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link