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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
16.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
3778
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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