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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
46
左右 -92% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
24
读取速度,GB/s
4,937.3
20.1
写入速度,GB/s
2,061.2
16.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3778
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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