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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
比較する
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
20.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
16.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
46
周辺 -92% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
24
読み出し速度、GB/s
4,937.3
20.1
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
16.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3778
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
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