RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
3098
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link