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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
30
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3189
2709
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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