RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
30
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
30
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
2709
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link