RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
30
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
30
Velocità di lettura, GB/s
18.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
2709
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link