Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Unterschiede

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 47
    Rund um -68% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 11.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 9.2
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    47 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 13.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 10.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2323 left arrow 2179
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche