Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 17000
    Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 47
    Intorno -68% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.8 left arrow 11.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 9.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    47 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.8 left arrow 13.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.2 left arrow 10.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2323 left arrow 2179
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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