Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

-->

Средняя оценка

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 47

Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.8 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 9.2

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 28
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 13.8
Скорость записи, Гб/сек

9.2 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2323 2179

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

модули RAM