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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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