Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 46
    Около 33% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.2 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.9 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 17000
    Около 1.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    31 left arrow 46
  • Скорость чтения, Гб/сек
    19.2 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    13.9 left arrow 12.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3341 left arrow 2660
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения