Comparación de la memoria RAM Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Puntuación global

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 46

En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

19.2 16

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.9 12.4

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 17000

En 1.51 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3341 2660

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns