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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
46
Velocidade de leitura, GB/s
19.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.9
12.4
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3341
2660
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB Comparações de RAM
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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