Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Pontuação geral
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 46
    Por volta de 33% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    19.2 left arrow 16
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.9 left arrow 12.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 17000
    Por volta de 1.51 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    31 left arrow 46
  • Velocidade de leitura, GB/s
    19.2 left arrow 16.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    13.9 left arrow 12.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3341 left arrow 2660
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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