RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Gesamtnote
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2106
3448
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM-Vergleiche
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link