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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2106
3448
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Comparaison des RAM
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Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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