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Corsair VS2GB1333D4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Gesamtnote
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair VS2GB1333D4 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1947
2427
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