Confronto tra le RAM Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Punteggio complessivo

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair VS2GB1333D4 2GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.6 12.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.9 7.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 10600

Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1947 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns