Comparaison de la RAM Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Note globale

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Corsair VS2GB1333D4 2GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.6 12.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.9 7.9

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 10600

Autour de 1.81 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1947 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns