RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
47
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
2308
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link