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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
総合得点
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
47
周辺 49% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
7.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
47
読み出し速度、GB/s
15.5
10.0
書き込み速度、GB/秒
11.0
7.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2445
2308
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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