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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
47
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
47
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
7.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
2308
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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