RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
70
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
2519
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link