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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
43
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2661
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
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