RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
43
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2337
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link