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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Compara
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
43
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2337
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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