RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
43
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2337
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link