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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
32
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.0
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
8.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4156
2271
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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