G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Punteggio complessivo
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 32
    Intorno 9% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    24 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    20.0 left arrow 8.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    24.0 left arrow 9.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    20.0 left arrow 8.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    4156 left arrow 2271
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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