RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
9.8
Скорость записи, Гб/сек
20.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
2271
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link