G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Note globale
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    29 left arrow 32
    Autour de 9% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    24 left arrow 9.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    20.0 left arrow 8.6
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    29 left arrow 32
  • Vitesse de lecture, GB/s
    24.0 left arrow 9.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    20.0 left arrow 8.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    4156 left arrow 2271
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons