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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
13.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2126
3293
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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