Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 35

En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

18 9.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.5 7.9

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2126 3293

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns